Новые N-канальные MOSFET-транзисторы от Fairchild SemiconductorКомпания Fairchild Semiconductor представляет новое семейство N-канальных MOSFET-транзисторов с высоким КПД, которые имеют защиту от электростатического разряда напряжением до 8 кВ - на 90% больше, чем у существующих транзисторов. Устройства семейства FDS881XNZ подходят для схем защиты батарей в таких электронных приборах как ноутбуки и мобильные телефоны. Они производятся по технологии Power Trench® и имеют низкое сопротивление сток-исток во включенном состоянии, благодаря чему уменьшаются потери на проводимость и увеличивается время работы устройств от батарей. В частности, модель FDS8812NZ имеет сопротивление во включенном состоянии R DS(ON) менее 5 мОм. Основные преимущества изделий семейства FDS881XNZ:
N-канальные MOSFET-транзисторы выпускаются в стандартном корпусе типа SO8. Подробнее |