Micron представляет новые микросхемы памяти DRAM DDR3

Компания Micron Technology Inc. объявила о выпуске первой 2-гигабитной микросхемы DRAM-памяти типа DDR3. Эта микросхема памяти имеет на сегодняшний день самый большой объём в своём классе.

Используя 2-гигабитные микросхемы памяти, Micron может производить 8-гигабайтные или 16-гигабайтные модули памяти для серверов и 4-гигабайтные модули памяти для настольных и переносных персональных компьютеров, которые будут модулями памяти класса DDR3 самого большого объёма на данный момент. Модули памяти с увеличенным объёмом идеально подходят для оптимизации работы современных операционных систем, требовательных к объёму оперативной памяти. Micron проводит испытания модулей памяти, базирующихся на 2-гигабитных микросхемах, для серверов, настольных компьютеров и ноутбуков. Их поступление в продажу планируется на первый квартал 2008 года.

Благодаря 78-нанометровой технологии, используемой компанией Micron для производства 2-гигабитных микросхем памяти DDR3, скорости доступа к памяти увеличиваются до 1333 мегабит в секунду. Например, на самых высоких скоростях доступа в память DDR3 можно загрузить 100000-страничный документ за приблизительно 1 секунду. Кроме этого, благодаря понижению напряжения питания с 1,8 до 1,5 Вольт энергопотребление 2-гигабитного модуля памяти DDR3 от Micron снижено на 20-30 процентов по сравнению с памятью класса DDR2.

Подробнее