Биполярные транзисторы с щелевой структурой уменьшают рассеивание энергии до 30% источниках бесперебойного питания (UPS) и системах преобразования солнечной энергии.

Новые специализированные компоненты используют технологию последнего поколения  Field Stop Trench для уменьшения проводимости и потерь коммутации и оптимизированные для коммутации при 20 kHz с низкими требованиями к короткому замыканию, позволяя достичь более эффективного преобразования энергии в источниках бесперебойного питания и системах преобразования солнечной энергии.

"Обычно биполярные транзисторы с изолированным затвором чрезмерные потери при коммутации на частотах, используемых в UPS и солнечных преобразователях. Новые щелевые транзисторы нашей компании обладают низкими затратами энергии на коммутацию вкупе с низкими потерями проведения. Эти более низкие потери обеспечивают высокую эффективность, понижая размер узла и стоимость выработки энергии для конечного пользователя,"- заявил Carl Blake, директор отдела маркетинга продуктов сберегающих энергию.

Корпусированные с диодами ультрабыстрого легкого восстановления, новое семейство биполярных транзисторов имеют более низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(on)) и общую энергию коммутации (ETS), чем транзисторы со смыканием или без него (NPT/ PT type IGBTs). Кроме того, внутренние диоды ультрабыстрого восстановления повышают эффективность и понижают электромагнитные помехи. Цена на компоненты начинается от US$0.68 за IRGB4059DPbF, US$0.82 за IRGB4045DPbF, US$0.84 за  IRGB4060DPbF, US$1.00 за IRGB4064DPbF и US$2.79 за IRGP4063DPbF. Цены - на 1 шт. в партии в 10000 шт.

Подробнее