1-гигабитный модуль памяти Mobile DRAM от компании Micron

Компания Micron Technology, Inc. представила новый 1-гигабитный модуль памяти Mobile DRAM, для использования в современных высокопроизводительных устройствах, таких как мобильные телефоны с мультимедийными функциями и функциями обработки данных. Компания объединит новый 1-гигабитный модуль памяти Mobile DRAM с 1-, 2- и 4-гигабитными модулями памяти NAND flash, создав таким образом мощный комбинированный модуль памяти. Микросхема с объединёнными модулями памяти Mobile DRAM и NAND, обычно называемая многокристальным модулем, занимает меньше места в мобильных телефонах, в результате чего обеспечивается дополнительное место для реализации большего количества функциональных возможностей или для создания плоских, тонких устройств.

Новая 1-гигабитная микросхема, для производства которой используется 78-нанометровый технологический процесс, присоединяется к семейству изделий категории Mobile DRAM, имеющих объём от 64 Мегабит до 512 Мегабит. При производстве изделий категории Mobile DRAM, выпускаемых компанией Micron, применяется уникальная технология Endur-IC™ и другие технологические разработки, благодаря которым обеспечиваются низкое энергопотребление, высокое качество, высокая надёжность и в целом более высокие технические характеристики беспроводных карманных устройств.

Подробнее