Карбидокремниевые мощные транзисторы с улучшенными характеристиками

   Карбидокремниевые мощные биполярные n-p-n транзисторы BITSIC-1220 и BITSIC-1206 производства компании TranSiC предназначены для применения во вращательных электроприводах, DC/DC - преобразователях и силовой электронике. Транзисторы работоспособны при температуре до 225°C и обладают пренебрежимо малым временем накопления заряда. Габаритные размеры BITSIC-1206 3.40 мм × 1.85 мм, ток коллектора от 6 до 20 А, ток базы от 1 до 10 А. Габаритные размеры BITSIC-1220 5.40 мм × 3.40 мм, ток коллектора от 20 до 60 А, ток базы от 3 до 20 А. Коллекторный ток отсечки для обоих транзисторов составляет 100 нА, напряжение насыщения коллектор-эмиттер от 0.8 В до 1.5 В при емкости 700 пФ (1206) или 2.3 пФ (1220), напряжение насыщения база-эмиттер от 3.1 В до 3.2 В при емкости 2.2 пФ (1206) или 7.3 пФ (1220).

   Источник: http://www.ecnmag.com/product-Power-Transistors-Consist-of-Silicon-Carbide.aspx