Транзисторы с низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер

   Биполярные транзисторы (NPN) и CET3906E (PNP) производства компании Central Semiconductor поставляются в корпусах для поверхностного монтажа SOT-883L и имеют напряжение насыщения V_CE максимальное 0.1 В м типовое 0.057 В при токе 10 мА, и максимальное 0.2 В и типовое 0.1 В при токе 50 мА. Габаритные размеры 1.050 мм × 0.650 мм × 0.400 мм, максимальный ток коллектора 200 мА, рассеиваемая мощность 250 мВт, компоненты отвечают требованиям предельного содержания вредных веществ.

   Источник: http://www.ecnmag.com/product-Transistors-Demonstrate-Low-VCE-SAT.aspx