GaN HEMT – транзисторы с выходной мощностью 120 Вт

   GaN СВЧ транзисторы CGH40120F производства компании Cree при напряжении питания 28 В обеспечивают 120 Вт выходной мощности в режиме насыщения. Компоненты предназначены для использования в военных и промышленных приложениях, средствах электронной войны, радарах, контрольно-измерительном оборудовании. Характеристики компонентов были продемонстрированы на примере их использования в усилителях диапазона частот 1200 - 1400 МГц. Коэффициент усиления по мощности составлял более 18 дБ, выходная мощность в непрерывном режиме 100 Вт, КПД по добавленной мощности 75%. Транзисторы поставляются в металлокерамических корпусах.

   Источник: http://www.ecnmag.com/product-GaN-HEMT-Microwave-Transistor-Supplies-120-W.aspx