Чип динамической ОЗУ с наивысшей интеграцией

   Чип 4 Гбайт - динамической ОЗУ DDR3 производства компании Samsung выполнен по техпроцессу 50 нм и имеет наивысшую интеграцию. Чип может применяться в 16 Гбайт - модулях памяти DIMM для серверов, а также в 8 Гбайт - небуферизованный модулях DIMM. Напряжение питания Гбайт - динамической ОЗУ DDR3 составляет 1.35 В.

   Источник: http://www.ecnmag.com/product-DRAM-Chip-Is-Densest-Available-013009.aspx