Малошумящие усилители для приложений до 28 ГГц

   Корпусные GaAs монолитные интегральные схемы малошумящих усилителей на основе pHEMT/HEMT - транзисторов производства компании Hittite Microwave Corporation предназначены для применения в микроволновой связи, VSAT-системах, в военной и космической отраслях, а также контрольно-измерительной аппаратуре в диапазоне от 2 ГГц до 28 ГГц. Микросхемы HMC751LC4, HMC752LC4 и HMC772LC4 имеют коэффициент шума до 1.8 дБ, коэффициент усиления до 25 дБ, выходная мощность интермодуляционных искажений третьего порядка до 26 дБм при напряжении питания +3 V/+4 V. Усилители также имеют выходную мощность при сжатии коэффициента усиления на 1 дБ до +13 дБм.

   Источник