electroz - сайт для радиолюбителей
Home Схемы Soft Справочники Links E-mail

Новые MOSFET-транзисторы производства Fairchild Semiconductor

Компания Fairchild Semiconductor представляет новые N-канальные MOSFET-транзисторы FDB2614 (200В) и FDB2710 (250В), разработанные специально для обеспечения наилучшего КПД системы и для оптимизации использования места в плазменных панелях. Благодаря применению технологического процесса PowerTrench®, разработанного компанией Fairchild, эти MOSFET-транзисторы достигают наименьших значений сопротивления во включенном состоянии RDS(on) (FDB2614: 22.9 мОм; FDB2710: 36.3 мОм), по сравнению с подобными устройствами на рынке. Благодаря такому низкому значению RDS(on) и очень низкому заряду затвора (Qg ), обеспечивается лучшая в своём классе добротность, которая в свою очередь сказывается на низких потерях электропроводности и прекрасных коммутационных характеристиках в плазменных панелях. Из-за чрезвычайно низкого значения RDS(on) устройства и малого размера кристалла при напряжениях пробоя составляющих 200 В или 250 В стало возможным производство этих устройств в малогабаритных корпусах D2PAK. Дополнительное преимущество MOSFET-транзисторов произведённых по технологии PowerTrench - это их способность увеличивать надёжность системы, выдерживая переходные процессы с быстрым изменением напряжения (dv/dt) и тока (di/dt).

К основным характеристикам и преимуществам FDB2614 и FDB2710 относятся:

  • Самое низкое значение RDS(on) и низкий заряд затвора для лучшей в своём класе добротности, что улучшает кпд системы;
  • Корпус D2PAK (TO-263) увеличивает количество свободного места на плате, по сравнению с корпусами TO-3P планарных MOSFET-транзисторов с подобным значением RDS(on)
  • Способность выдерживать высокие значения dv/dt и di/dt увеличивает надёжность системы

Подробнее