Энергонезависимая память 4 Мбит от RAMTRON

Компания Ramtron объявила о начале производства микросхемы энергонезависимой памяти FRAM объемом 4 Мбит с параллельным интерфейсом. Микросхема имеет практически неограниченный ресурс циклов перезаписи, содержит монитор напряжения питания для защиты от случайной записи. Выводы микросхемы соответствуют стандарту расположения выводов (JEDEC) микросхем памяти SRAM.

Основные характеристики:

• Организация памяти FRAM: 4 Мбит (256 K × 16 бит, либо 512 К × 8 бит);
• Число циклов перезаписи: 10¹⁴;
• Время доступа к памяти: 55 нс;
• Напряжение питания: 2,7...3,6 В;
• Монитор напряжения питания;
• Возможность программной защиты блоков памяти;
• Ток потребления:
  - в рабочем режиме: 12 мА;
  - в режиме хранения: 90 мкA;
• Корпус FBGA-48;
• Рабочий диапазон температур: -40...+85 °С.

Для получения более подробной информации вы можете обратиться в один из офисов компании ЭЛТЕХ